- 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
特色
超低导通状态电阻:RDS(开启)1=31 m MAX.(VGS=10 V,ID=25 A)RDS(打开)2=36 m MAX。内置栅极保护二极管

起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 18.17967 | 18.17967 |
| 10+ | 16.31825 | 163.18254 |
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超低导通状态电阻:RDS(开启)1=31 m MAX.(VGS=10 V,ID=25 A)RDS(打开)2=36 m MAX。内置栅极保护二极管

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