特色
- 紧凑型设计占地面积小（3.3 x 3.3 mm）
- 最小化所需的PCB面积
- 低RDS（开启）以最小化传导损耗
- 更高的效率
- 低电容使驱动器损耗最小化
- 更高的效率
- 符合RoHS
应用
- DC-DC转换器
- 高压侧开关
- 笔记本电脑
NTTFS6H850NLTAG
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.8A（Ta）、64A（Tc） 最大功耗: 3.9W (Ta), 73W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 11.51621 | 11.51621 |
| 10+ | 10.27767 | 102.77675 |
| 100+ | 8.01354 | 801.35450 |
| 500+ | 6.61972 | 3309.86050 |
| 1500+ | 5.54277 | 8314.16100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.96719
-
数量:
- +
- 总计: ¥11.52
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 26 nC@10 V
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 漏源电压标 (Vdss) 80 V
- 供应商设备包装 8-WDFN (3.3x3.3)
- 导通电阻 Rds(ON) 8.6毫欧姆 @ 10A, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 14.8A（Ta）、64A（Tc）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@70A.
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1450 pF@40 V
- 最大功耗 3.9W (Ta), 73W (Tc)
NTTFS6H850NLTAG 产品详情
这是一个30 V N沟道功率MOSFET。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTT508ACNL | 普思电子 (Pulse) | FIXED INDUCTOR SMD | ¥1.6369 |
| NTT501ADNLT | NTT501ADNLT | ¥0.00 | |
| NTT501ADNL | NTT501ADNL | ¥0.00 | |
| NTTP81DA-C | Ciena NTTP81DA Compatible TAA Co | ¥0.00 | |
| NTTP07FFE6-I-C | Ciena NTTP07FFE6-I Compatible TA | ¥0.00 | |
| NTTP84AAE6-C | Ciena NTTP84AAE6 Compatible TAA | ¥0.00 | |
| NTTP58BD-C | Ciena NTTP58BD Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTTP51BD-IO | SFP 1G LX CIENA | ¥0.00 | |
| NTTP84HH-C | Ciena NTTP84HH Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTTP81DA-IO | XFP 10G ER CIENA | ¥0.00 |
NTTFS6H850NLTAG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTTFS6H850NLTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTTFS6H850NLTAG价格参考￥7.967190，你可以下载 NTTFS6H850NLTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTTFS6H850NLTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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