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BSC057N03MS G是MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8，包括OptiMOS 3M系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSC057NO3MSGATMA1 BSC057NO 3MSGXT SP000311513的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6.8 ns，上升时间为6.6 ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为15A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型的关断延迟时间为14ns，典型的导通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
BSC057N03LSGATMA1是MOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于OptiMOS，提供Si等技术特性，系列设计用于BSC057N03，以及BSC057N03LS BSC057N01LSGXT G SP000275113部件别名，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装盒为TDSON-8，该设备提供1信道数信道，该设备具有安装型SMD/SMT。
BSC057N03MS，带有INF制造的电路图。BSC057N03M S采用PG-TDSON-8封装，是FET的一部分-单体。
BSC057N03MSG，带有INF/EDA/CAD型号。BSC057N03M SG采用PG-TDSON-8封装，是FET的一部分-单体。
