9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB110N20N3LFATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB110N20N3LFATMA1参考价格$9.20000。Infineon Technologies IPB110N20N3LFATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3。您可以下载IPB110N20N3LFATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB120N04S3-02是MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3，包括OptiMOS-T系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB120NO4S302ATMA1 IPB120NO 4S302XT SP000261216，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为19 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为57ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
带有用户指南的IPB120N03S4L03ATMA1，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该技术提供了部件别名功能，如IPB120NO3S4L-03 SP000936514。包装设计为在卷筒中工作，以及to-263-3包装箱，该设备也可以用作1信道数信道。
IPB11N03LA是INFINEON制造的MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK。IPB11N03LA可用于TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK、N沟道25V 30B（Tc）52W（Tc）表面安装PG-TO263-3-2。
IPB11N60C3，带有FEELING制造的EDA/CAD模型。IPB11N60C3采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
