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IPB044N15N5ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 174A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 72.79114 72.79114
10+ 65.78726 657.87261
100+ 54.46371 5446.37110
500+ 50.99581 25497.90500
1000+ 50.99581 50995.81000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥63.30295
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥72.79
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大功耗 300W (Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 8V, 10V
  • 漏源电压标 (Vdss) 150伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 100 nC@10 V
  • 供应商设备包装 PG-TO263-7
  • 包装/外壳 到263-7,DPak(6条引线+标签)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.6V @ 264A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 174A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.4毫欧姆 @ 87A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8000 pF @ 75 V
  • 色彩/颜色 -

IPB044N15N5ATMA1 产品详情

OptiMOS™ 英飞凌的5个150V功率MOSFET特别适用于叉车和电动滑板车等低压驱动器,以及电信和太阳能应用。新产品提供了突破性的R降低DS(打开)(与SuperSO8中的次佳替代方案相比高达25%)和Q错误不损害FOMgd公司和FOM操作系统有效减少设计工作量,同时优化系统效率。此外,超低反向恢复充电(Q错误在SuperSO8中=26 nC)增加了换向强度。

特色

  • 在不影响FOM gd和FOM oss的情况下降低R DS(开)
  • 较低的输出电荷
  • 超低反向回收费用
  • 提高换向强度
  • 可能的开关频率更高
  • 减少并联
  • SuperSO8实现了尺寸缩减
  • 更高的功率密度设计
  • 更坚固的产品
  • 降低系统成本
  • 改善EMI行为

应用

  • 低压驱动器
  • 电信
  • 太阳的
IPB044N15N5ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPB044N15N5ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPB044N15N5ATMA1价格参考¥63.302946,你可以下载 IPB044N15N5ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPB044N15N5ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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