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IPB200N25N3 G是MOSFET N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于IPB200N25N3GATMA1 IPB200N55N3GXT SP000677896的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为64A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为20mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为64nC，前向跨导Min为122 S 61 S。
IPB200N15N3G，带有INFINEON制造的用户指南。IPB200N15N3G采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
IPB200N25N3G，带有INF制造的电路图。IPB200N25N3G采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
