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IPB107N20N3 G是MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于IPB107N2 0N3GTMA1 IPB107N3GTXT SP000676406的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为88A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds漏极源极导通电阻为10.7mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为65nC，正向跨导Min为141S 71S。
IPB100N10S3-5（3PN1005），带有INFINEON制造的用户指南。IPB100N10S3-5（3PN1005）采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
IPB107N20N3G，带有INFINEON制造的电路图。IPB107N20N3G在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
