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IPP110NA是MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3，包括XPP110N20系列，它们设计用于管式包装，零件别名如IPP110NAAKSA1 IPP110N20NAAXK SP000877672中使用的数据表注释所示，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为88A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为41ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为65nC，沟道模式为增强。
IPP111N15N3 G是MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供典型的关断延迟时间特性，如32 nS，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作OptiMOS商标。此外，该技术为Si，该器件为OptiMOS 3系列，该器件具有35 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为10.8 mOhms，Qg栅极电荷为41 nC，Pd功耗为214 W，部件别名为IPP111N15N3GXK IPP111N15 N3GXKSA1 SP000677860，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为83 A，下降时间为9 ns，配置为单一。
IPP110N20NAXK是MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3，包括单一配置，它们设计为在11 ns的下降时间下工作，Id连续漏电流如数据表注释所示，用于88 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管式封装，器件具有零件别名IPP110NAAKSA1 SP000877672，Pd功耗为300W，Qg栅极电荷为65nC，漏极电阻Rds为10.7mOhms，上升时间为26ns，系列为IPP110N20，技术为Si，商品名为OptiMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为41ns，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为20V。
