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AUIRLR3114Z是MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4.5m欧姆，包括管封装，它们设计为以0.13932盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供140 W Pd功耗，器件具有16 V Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为130 a，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds漏极源极电阻为6.5 mOhm，晶体管极性为N沟道、Qg栅极电荷为40 nC。
AUIRLR3114ZTR是MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4.5欧姆，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于40 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该器件也可以用作6.5mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为40 nC，该器件提供140 W Pd功耗，该器件具有一个卷式封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为130 a，配置为单通道。
AUIRLR3110ZTRR是MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 14Ohms，包括单配置，它们设计为以63 a Id连续漏电流工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供多个信道功能，如1信道，封装盒设计为在to-252-3中工作，该器件也可以用作140W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为34nC，器件提供16 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.13932盎司，Vds漏极源极击穿电压为100 V，Vgs栅极-源极电压为16 V。
