9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI50R250CP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI50R250CP价格参考1.03000美元。Infineon Technologies IPI50R250CP封装/规格：N通道功率MOSFET。您可以下载IPI50R250CP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPI50R140CP是MOSFET N-Ch 500V 23A I2PAK-3 CoolMOS CP，包括CoolMOS系列CP，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI50R140CPXK IPI50R1 40CPXKSA1 SP000680734，其提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为192 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为23A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为140mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
IPI50R199CP是MOSFET N-CH 500V 17A TO262，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于550 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的关断延迟时间特性，如80纳秒，晶体管类型设计用于1 N通道，以及N通道晶体管极性，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS CP系列，该器件具有14 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为199 mOhms，Qg栅极电荷为34 nC，Pd功耗为139 W，部件别名为IPI50R199CPXK IPI50R199CPXKSA1 SP000523756，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为17 A，下降时间为10 ns，配置为单一。
IPI50R099CP，带有INF制造的电路图。IPI50RO 99CP采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
