9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP041N04NGXKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP041N04NGXKSA1参考价格为1.49000美元。Infineon Technologies IPP041N04NGXKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3。您可以下载IPP041N04NGXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP040N06NAKSA1是MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3，包括IPP040NO6系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP040NO 6N IPP440N06NXK SP000959820，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装类型设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为107 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型导通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为38nC，并且正向跨导Min为120S。
IPP041N04N G是MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如16 ns，典型的关闭延迟时间设计为23 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS 3系列，上升时间为3.8 ns，漏极电阻Rds为4.1 mOhms，Pd功耗为94 W，零件别名为IPP041N04NGXK IPP041NO4NGXKSA1 SP000680790，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为4.8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP041N04是INFINEON制造的MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3。IPP041N04采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3。
IPP041N04NG，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP041N04NG采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
