9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3437DV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3437DV-T1-E3参考价格为0.97000美元。Vishay Siliconix SI3437DV-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP。您可以下载SI3437DV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3435DV-T1-E3是MOSFET 12V 4.8A 2W，包括卷轴封装，它们设计用于SI3435DV T1零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及TSOP-6封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为1.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为45纳秒，Vgs栅源电压为8 V，Id连续漏极电流为4.8A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds导通漏极-电源电阻为73mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为18ns，沟道模式为增强型。
Si3435DV-T1-GE3是MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm@4.5V，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作73毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为1.1 W，该器件以SI3435DV-GE3零件别名提供，该器件具有一个包装卷，包装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为4.8 a，配置为单一。
SI3435DV-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 12V 4.8A 6引脚TSOP T/R。SI3435DV-T1采用SOT23-6封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET P-CH 12V 4.8A 6引脚TSOP T/R。
