特色
- 低rDS（开启）提供更高的效率并延长电池寿命
- 小型SOT-23表面安装封装节省了电路板空间
- 符合RoHS
- 符合AEC Q101
- PPAP能力
应用
- DC-DC转换
- 电源管理
（图片：引出线）
MVMBF0201NLT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 最大功耗: 225毫瓦（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.34574 | 4.34574 |
| 10+ | 3.74457 | 37.44579 |
| 100+ | 2.79503 | 279.50350 |
| 500+ | 2.19619 | 1098.09600 |
| 1000+ | 1.69708 | 1697.08400 |
| 3000+ | 1.58815 | 4764.45300 |
- 库存: 103
- 单价: ¥4.34574
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.35
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 部件状态 不适用于新设计
- 漏源电流 (Id) @ 温度 300毫安 (Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A.
- 工作温度 -
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 导通电阻 Rds(ON) 1欧姆@300毫安，10伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 45 pF @ 5 V
- 最大功耗 225毫瓦（Ta）
- 色彩/颜色 银
MVMBF0201NLT1G 产品详情
汽车功率MOSFET是低功率应用的理想选择。20V 300mA 1 Ohm这些微型表面安装MOSFET低RDS（on）确保了最小的功率损耗和节约能源，使这些器件非常适合用于小型电源管理电路。
MVMBF0201NLT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MVM5JB1K20 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 1.2千欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥0.92173 |
| MVM5JB1K00 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 1千欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥0.92173 |
| MVM5JB2K20 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 2.2千欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥0.92173 |
| MVM5JB200R | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 200欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥0.92173 |
| MVM5JB220R | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 220欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥0.92173 |
| MVM5JB270R | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 270欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥0.92173 |
| MVM5JB4K00 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 4千欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥0.92173 |
| MVM5JB820R | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 820 Ohms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥0.92173 |
| MVM5JB15K0 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 15千欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥0.92173 |
| MVM5JB20K0 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 20千欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属氧化物膜 包装/外壳: 径向的 工作温度: -55摄氏度～155摄氏度 | ¥0.92173 |
MVMBF0201NLT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，MVMBF0201NLT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MVMBF0201NLT1G价格参考￥4.345740，你可以下载 MVMBF0201NLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MVMBF0201NLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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