9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2004TK-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2004TK-7参考价格为0.57000美元。Diodes Incorporated DMN2004TK-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523。您可以下载DMN2004TK-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2004K-7是MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3，包括DMN2004系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为350mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为150pF@16V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为630mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为550mOhm@540mA，4.5V，Vgs的最大Id为1V@250μA，Pd功耗为350mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，下降时间为37.6 ns，上升时间为8.4 ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为540mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为550mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为59.4ns，典型接通延迟时间为5.7ns，沟道模式为增强。
DMN2004K-7-F，带有GC制造的用户指南。DMN2004K-7-F采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
带有电路图的DMN2004K-7-F/NAB DMN2004K 7-F/NAA可用于SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
