增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- 1.3 A,20 VRDS(开启)=0.21Ω@VGS=2.7 VRDS(打开)=0.16Ω@VGS=4.5 V
- 工业标准轮廓SOT-23表面贴装封装,采用脂基SuperSOT™-3种设计,具有卓越的热和电气性能
- 用于极低RDS(ON)的高密度电池设计
- 优异的导通电阻和最大直流电流能力
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。

起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.01907 | 1.01907 |
| 100+ | 0.99010 | 99.01040 |
| 1000+ | 0.96040 | 960.40900 |
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增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。

台舟电子股份有限公司是2009年建立,公司的精英设计团队均来自于国内外知名企业,团队主管曾任职于美国硅谷著名IC设计龙头公司,担任技术高层岗位超过15年,核心成员均有10年以上设计经验。 台...