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IPB100N06S2-05是MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于IPB100N6S205ATMA1 IPB10006S205ATMA4 SP001067896的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为59ns，典型接通延迟时间为21ns，沟道模式为增强。
IPB100N04S4-H2是MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为19 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS-T2系列，上升时间为13 ns，漏极-源极电阻Rds为2.4 mOhms，Qg栅极电荷为70 nC，Pd功耗为115 W，部件别名为IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100R04S4H2XT SP000711274，包装为卷筒，包装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为100 A，下降时间为21 ns。
IPB100N04S4H2ATMA1是MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2，包括1个信道数量的信道，它们设计为与to-263-3封装盒一起工作，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如IPB100R04S4-H2 IPB100N44H2XT SP000711274，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
IPB100N04S4-02D，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPB100N04S4-02D采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
