9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPP08N50C3XKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPP8N50C3XKSA1参考价格为0.85000美元。Infineon Technologies SPP8N50C3XKSA1封装/规格：SPP8N50-800V COOLMOS N-CHANNE。您可以下载SPP08N50C3XKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SPP07N65C3是MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220，包括CoolMOS C3系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于SP000681036 SPP07N55C3HKSA1 SPP07N85C3XK SPP07N45C3XKSA1的零件别名，该SPP07N35C3XKSA2提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为3.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.3A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为6ns，沟道模式为增强。
SPP07N65C3XKSA1是MOSFET N-Ch 600V 7.3A TO220-3，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.211644 oz，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，商品名设计用于CoolMOS，以及Si技术，该设备也可以用作SPP07N65系列。此外，Rds漏极源极电阻为600 mOhms，该器件以SP000681036 SPP07N65C3 SPP07N55C3XK零件别名提供，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为7.3 a。
SPP07N80C2，带有INFINEON制造的电路图。SPP07N80C2采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
