9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN1R5-25YL，115，在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN1R5-25YL，115参考价格1.73000美元。Nexperia USA Inc.PSMN1R5-25YL，115封装/规格：MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56。您可以下载PSMN1R5-25YL，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如PSMN1R5-25YL，115价格，库存数量，数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
带有引脚细节的PSMN1R4-30YLDX，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为与PSMN1R4-10YLD零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该产品提供SC-100、SOT-669、4-LFPAK等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备采用LFPAK、Power-SO8供应商设备包提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道、金属氧化物，最大功率为166W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为3840pF@15V，FET特性为逻辑电平门，4.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为100A（Tc），Rds On Max Id Vgs为1.42 mOhm@25A，10V，Vgs th Max Id为2.2V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为54.8nC@10V，Pd功耗为166 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，并且下降时间为20.6ns，上升时间为28ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅-源极阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.44mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31.5ns，典型的开启延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为27.6nC，信道模式为增强。
带有用户指南的PSMN1R4-40YLDX，包括1.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供典型的开启延迟时间功能，如39 ns，典型的关闭延迟时间设计为47 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为49 ns，器件的漏极-源极电阻为1.4 mOhms，Qg栅极电荷为45 nC，Pd功耗为238 W，封装为卷轴，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为100 A，下降时间为30 ns，配置为单一，通道模式为增强。
PSMN1R5-25YL，带有NXP制造的电路图。PSMN1R5-25YL在LFPAK封装中提供，是FET的一部分-单个。
