9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW6N90K5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW6N90K5参考价格2.89000美元。STMicroelectronics STW6N90K5封装/规格：MOSFET N-CH 900V 6A TO247。您可以下载STW6N90K5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW6N120K3是MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247，包括SuperMESH3？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-247-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的TO-247，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为150W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为1200V（1.2kV），输入电容Ciss Vds为1050pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为2.4 Ohm@2.5A，10V，Vgs最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为34nC@10V，Pd功耗为150 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为32纳秒，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为6 A，Vds漏极-源极击穿电压为1200 V，Rds漏极源极电阻为2.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为58纳秒，典型的开启延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为34nC，信道模式为增强。
STW6N95K5是MOSFET N-CH 950V 9A TO-274，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在950 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供N沟道等晶体管极性特性，技术设计为在Si以及MDmesh K5系列中工作，该器件也可以用作1.25欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为13nC，该器件提供90W Pd功耗，该器件有一个封装管，封装盒为TO-247-3，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为9 a。
STW6NA90带有ST制造的电路图。STW6NA 90以TO-247封装形式提供，是IC芯片的一部分。
STW6NB90采用ST制造的EDA/CAD模型。STW6NB 90采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
