9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的MTM761110LBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MTM761110LBF价格参考0.55000美元。松下电子元件MTM761110LBF封装/规格：MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6。您可以下载MTM761110LBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MTM684110LBF是MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装类型，数据表说明中显示了用于8-SMD、扁平引线的封装盒，提供Si等技术特性，其工作温度范围为150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作2信道数信道。此外，供应商设备包为WMini8-F1，该设备提供双配置，该设备具有2个P通道（双）FET型，最大功率为1W，晶体管类型为2个P信道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为1400pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.8A，Rds On Max Id Vgs为32 mOhm@1A，5V，Vgs th Max Id为1V@1mA，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为160 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-4.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds导通漏极-漏极电阻为32m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为270ns，典型接通延迟时间为9ns，正向跨导最小值为3.5S，沟道模式为增强型。
MTM761100LBF是MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6，包括-12 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 P沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性显示在数据表注释中，用于P沟道，提供Si、Rds等技术特性，漏极-漏极电阻设计为工作在55 mOhms，该设备也可以用作WSMini-6-F1-B封装盒。此外，信道数为1信道，该设备采用SMD/SMT安装方式，该设备具有-4A的Id连续漏电流，配置为单信道。
MTM6N90，带有MOT制造的电路图。MTM6N90采用TO-3封装，是IC芯片的一部分。
