9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP600N25N3GXKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP600N25N3GXKSA1参考价格3.54000美元。Infineon Technologies IPP600N25N3GXKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3。您可以下载IPP600N25N3GXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP600N25N3 G是MOSFET N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP600N15N3GXK IPP600N2 5N3GXKSA1 SP000677832，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为136 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为25A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为60mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为22nC，前向跨导Min为47S 24S。
IPP530N15N3G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3。IPP530N15N3G采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3。
IPP600N25N3，带有INFINEON制造的电路图。IPP600N25N3采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3。
