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TP65H070LDG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 96W(Tc) 供应商设备包装: 3-PFN(8x8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 特朗斯峰 (Transphorm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 93.74026 93.74026
10+ 86.16448 861.64489
100+ 72.77292 7277.29200
500+ 64.73638 32368.19450
1000+ 60.88061 60880.61700
  • 库存: 230
  • 单价: ¥93.74026
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥93.74
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 制造厂商 特朗斯峰 (Transphorm)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 25A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 85毫欧姆 @ 16A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.8V @ 700A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 600 pF @ 400 V
  • 最大功耗 96W(Tc)
  • 供应商设备包装 3-PFN(8x8)
  • 包装/外壳 3-电源DFN
  • 技术 GaNFET(Cascode氮化镓FET)
  • 色彩/颜色 不锈钢

TP65H070LDG 产品详情

TP65H070LDG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TP65H070LDG 由 特朗斯峰 (Transphorm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TP65H070LDG价格参考¥93.740262,你可以下载 TP65H070LDG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TP65H070LDG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

特朗斯峰 (Transphorm)

特朗斯峰 (Transphorm)

Transphorm,Inc.是GaN革命的全球领导者,为高压功率转换应用设计和制造高性能和高可靠性GaN半导体。Transphorm拥有超过1000项拥有或许可的专利,是全球最大的功率GaN IP产品...

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