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FCP190N65F

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.6A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 包装/外壳 至220-3
  • 最大功耗 208W(Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 78 nC @ 10 V
  • 制造厂商
  • 导通电阻 Rds(ON) 190毫欧姆@10A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 2毫安
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 20.6A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3225 pF @ 25 V
  • 色彩/颜色 -

FCP190N65F 产品详情

SuperFET®和SuperFET™II N沟道MOSFET,Fairchild半导体

Fairchild使用超级结技术添加了SuperFET®II高压功率MOSFET系列。它在AC-DC开关模式电源(SMPS)应用(如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器、照明应用)中提供了一流的稳健体二极管性能,这些应用需要高功率密度、系统效率和可靠性。
利用先进的电荷平衡技术,设计人员可以获得更高效、更经济、更高性能的解决方案,从而占用更少的电路板空间并提高可靠性。

特色

  • 700伏@TJ=150°C
  • 类型。RDS(开启)=168 mΩ
  • 超低栅极电荷(典型Qg=60 nC)
  • 低有效输出电容(典型cos(eff.)=186 pF)
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS

应用

  • AC-DC电源
  • LCD/LED/PDP电视
  • 太阳能转化器
FCP190N65F所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FCP190N65F 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FCP190N65F价格参考¥13.699221,你可以下载 FCP190N65F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FCP190N65F规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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