这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计,采用最新的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点是175°C结工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起,使该设计成为一种非常高效和可靠的设备,可用于汽车应用和各种其他应用。
特色
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 175°C工作温度
- 快速切换
- 允许重复雪崩达到Tjmax
- 无铅,符合RoHS
- 汽车认证
起订量: 328
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
328+ | 6.59103 | 2161.86079 |
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这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计,采用最新的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点是175°C结工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起,使该设计成为一种非常高效和可靠的设备,可用于汽车应用和各种其他应用。