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FDD8451是MOSFET N-CH 40V 9A DPAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为30W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为990pF@220V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为9A（Ta），28A（Tc），Rds On最大Id Vgs为24mOhm@9A，10V，Vgs th最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为30W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为3ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为28A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为30mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型导通延迟时间为7ns，正向跨导最小值为29S，信道模式是增强。
FDD8453LZ是MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供单位重量功能，如0.009184 oz，典型开启延迟时间设计为11 ns，以及37 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的D-Pak，系列为PowerTrenchR，上升时间为6 ns，Rds On Max Id Vgs为6.7 mOhm@15A，10V，Rds On漏极-源极电阻为6.7 m欧姆，功率最大值为3.1W，Pd功耗为3.1W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150℃，输入电容Cis-Vds为3515pF@20V，Id连续漏极电流为16.4A，栅极电荷Qg-Vgs为64nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为5 ns，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为16.4A（Ta），50A（Tc），并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
FDD844L，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDD844L采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
