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BUK9E08-55B,127

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 203W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 漏源电压标 (Vdss) 55 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
  • 包装/外壳 TO-262-3长引线,我巴基斯坦,TO-262AA
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 75A (Tc)
  • 最大功耗 203W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 7毫欧姆 @ 25A, 10V
  • 供应商设备包装 I2PAK
  • 制造厂商
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5280 pF @ 25 V

BUK9E08-55B,127 产品详情

BUK9E08-55B,127所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BUK9E08-55B,127 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。BUK9E08-55B,127价格参考¥3.693879,你可以下载 BUK9E08-55B,127中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BUK9E08-55B,127规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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