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FDS6294

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 670

数量 单价 合计
670+ 3.25930 2183.73435
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  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,183.73
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 13A(Ta)
  • 最大功耗 3W (Ta)
  • 制造厂商
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14 nC @ 5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 11.3毫欧姆@13A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1205 pF@15 V

FDS6294 产品详情

该N沟道MOSFET专门设计用于使用同步或常规开关PWM控制器来提高DC/DC转换器的整体效率。它已针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。

特色

  • 13A,30VRDS(ON)=11.3 mΩ@VGS=10VRDS(ON)=14.4 mΩ@VGA=4.5V
  • 低栅极电荷(典型值为10 nC)
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • 高功率和电流处理能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • DC/DC转换器
  • 电源管理
  • 负载开关
FDS6294所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDS6294 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS6294价格参考¥3.259305,你可以下载 FDS6294中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS6294规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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