9icnet为您提供由其他公司设计和生产的IRFS820B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFS820B参考价格为0.18000美元。其他IRFS820B封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载IRFS820B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRFS820B价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFS7762TRLPBF具有引脚细节，包括卷筒包装，其设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供140 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为49 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为85 A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为57ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为85nC，正向跨导最小值为180S。
带有用户指南的IRFS7787PBF，包括3.7 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于75 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为11 ns，以及51 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有48 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为8.4 mOhms，Qg栅极电荷为73 nC，Pd功耗为125 W，封装为管，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为76 A，正向跨导最小值为154 S，下降时间为39 ns，配置为单一。
带有电路图的IRFS7787TRLPBF，包括单组态，它们设计为在39 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了154 S中使用的最小正向跨导，该154 S提供Id连续漏极电流特性，如76 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一卷封装，Pd功耗为125W，Qg栅极电荷为73nC，Rds漏极-源极电阻为8.4mOhm，上升时间为48ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为51ns，典型接通延迟时间为11ns，单位重量为0.139332oz，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅-源极电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.7V。
IRFS820带有SEC制造的EDA/CAD模型。IRFS820采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
