新一代30V Pch MOSFET的设计旨在最大限度地降低稳态电阻(RDS(ON)),同时保持优异的开关性能和ESD保护栅极,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

DMP32D5SFB-7B
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: X1-DFN1006-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 3.40416 | 3.40416 |
10+ | 2.54950 | 25.49501 |
100+ | 1.58909 | 158.90920 |
500+ | 1.08759 | 543.79700 |
1000+ | 0.83655 | 836.55500 |
2000+ | 0.75289 | 1505.79800 |
5000+ | 0.71110 | 3555.54000 |
10000+ | 0.64831 | 6483.12000 |
- 库存: 2775
- 单价: ¥3.40416
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.40
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 场效应管类型 P-通道
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 最大功耗 500mW (Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 400毫安 (Ta)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 X1-DFN1006-3
- 包装/外壳 3-UFDFN
- 导通电阻 Rds(ON) 2.4欧姆@200毫安,10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 100 pF@15 V
- 色彩/颜色 -
DMP32D5SFB-7B 产品详情
DMP32D5SFB-7B所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMP32D5SFB-7B 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMP32D5SFB-7B价格参考¥3.404163,你可以下载 DMP32D5SFB-7B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMP32D5SFB-7B规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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