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CSD25481F4T是MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR，包括FemtoFET？系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，包装箱如数据表注释所示，用于3-XFDFN，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及3-PICOSTAR供应商设备包，该设备也可用作MOSFET P沟道、金属氧化物FET类型。此外，最大功率为500mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有189pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为2.5A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为88mOhm@500mA，8V，Vgs最大Id为1.2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为0.91nC@4.5V。
CSD25483F4是“TI制造的MOSFET 20V。CSD25483F4SOT883封装中提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持”MOSFET 20V、P沟道20V 1.6A（Ta）500mW（Ta）表面安装3-PICOSTAR、Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PICOSTART/R、MOSFET 20V P-CH FemtoFET MOSFET。
CSD25483F4T，带有TI制造的电路图。CSD25483F4 T以未知封装形式提供，是IC芯片的一部分，P沟道20V 1.6A（Ta）500mW（Ta）表面安装3-PICOSTAR，Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PICOSTART/R，MOSFET 20V，P-CH FemtoFET MOSFET。
