特色
- VGS=10V，ID=70A时，Typ rDS（开）=3.9mΩ
- VGS=10V时，典型Qg（TOT）=91nC
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合AEC Q101
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDB8444TS
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta）、70A（Tc） 最大功耗: 181W（Tc） 供应商设备包装: TO-263-5 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 352
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 352+ | 6.15646 | 2167.07568 |
- 库存: 7415
- 单价: ¥6.15647
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,167.08
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规格参数
- 长（英寸） -
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 最大功耗 181W（Tc）
- 部件状态 过时的
- 制造厂商
- 漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Ta）、70A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 5毫欧姆 @ 70A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 338 nC @ 20 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8410 pF @ 25 V
- 供应商设备包装 TO-263-5
- 包装/外壳 到263-6，DPak（5引线+接线片），TO-263BA
- 色彩/颜色 -
FDB8444TS 产品详情
N沟道PowerTrench®MOSFET，40V，70A，5.5mΩ
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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FDB8444TS所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDB8444TS 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDB8444TS价格参考￥6.156465，你可以下载 FDB8444TS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDB8444TS规格参数、现货库存、封装信息等信息！