9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDR836P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDR836P参考价格为0.83000美元。其他FDR836P封装/规格：P沟道MOSFET。您可以下载FDR836P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDR8305N是MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表说明中显示了用于8-SMD鸥翼的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及SuperSOT-8供应商设备包，该设备也可以用作2 N沟道（双）FET类型。此外，最大功率为800mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1600pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为4.5A，最大Id Vgs上的Rds为22mOhm@4.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为23nC@4.5V。
FDR8308P是MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与SuperSOT一起工作-8供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于PowerTrenchR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如50 mOhm@3.2A，4.5V，Power Max设计工作功率为800mW，以及Digi-ReelR封装，该设备也可以用作8-SMD，鸥翼封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1240pF@10V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为19nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3.2A。
FDR8321L，带有FSC制造的电路图。FDR8321L在VSOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。
