特色
- 导通电阻低。
- 高功率小型模具封装（HUML220L8）。
- 无铅铅镀层；符合RoHS
- 无卤素
RF4E110BNTR
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: HUML2020L8 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.49059 | 4.49059 |
| 10+ | 3.94738 | 39.47381 |
| 100+ | 3.02753 | 302.75320 |
| 500+ | 2.39334 | 1196.67200 |
| 1000+ | 1.91466 | 1914.66100 |
| 3000+ | 1.73518 | 5205.54600 |
| 6000+ | 1.63182 | 9790.95000 |
- 库存: 1439
- 单价: ¥4.49060
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.49
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24 nC@10 V
- 最大功耗 2W（Ta）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1200 pF@15 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 11A（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 11.1毫欧姆@11A，10V
- 供应商设备包装 HUML2020L8
- 包装/外壳 8-PowerUDFN
- 色彩/颜色 -
RF4E110BNTR 产品详情
功率MOSFET通过微处理技术制成低导通电阻器件，适用于广泛的应用。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场上的各种需求。
RF4E110BNTR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| RF4463F30-868 | 思为无线 (G-NiceRF) | 暂无 | ¥67.76492 |
| RF4463F30-433 | 思为无线 (G-NiceRF) | 暂无 | ¥67.76492 |
| RF4463F30-915 | 思为无线 (G-NiceRF) | 暂无 | ¥67.76492 |
| RF4432PRO-490 | 思为无线 (G-NiceRF) | 暂无 | ¥41.53334 |
| RF4432PRO-433 | 思为无线 (G-NiceRF) | 暂无 | ¥41.53334 |
| RF4432PRO-868 | 思为无线 (G-NiceRF) | 暂无 | ¥41.53334 |
| RF4432PRO-915 | 思为无线 (G-NiceRF) | 暂无 | ¥41.53334 |
| RF4438PRO-433 | 思为无线 (G-NiceRF) | 暂无 | ¥41.53334 |
RF4E110BNTR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RF4E110BNTR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RF4E110BNTR价格参考￥4.490598，你可以下载 RF4E110BNTR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RF4E110BNTR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
