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AUIRF3805STRL是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8欧姆，包括卷轴封装，它们设计为以0.13932盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供300 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为87 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为44 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds漏极漏极-漏极电阻为8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为93ns，典型接通延迟时间为150ns，沟道模式为增强。
AUIRF3805S-7TRR带有用户指南，包括55 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.056438盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N通道，提供晶体管极性功能，如N通道，商品名设计用于CoolIRFet，以及Si技术，该器件也可以用作漏极-源极电阻上的2mOhms Rds。此外，包装为卷轴式，该器件采用TO-263-7封装盒，该器件具有1个通道数，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为240A。
AUIRF3805STRR带有由IR制造的电路图。AUIRF3803STRR采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
