9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP17N25S300AKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP17N25S300AKSA1价格参考2.70000美元。Infineon Technologies IPP17N25S300AKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 250V 17A TO220-3。您可以下载IPP17N25S300AKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP17N25S3-100是MOSFET N-Ch 250V 17A TO220-3，包括XPP17N25系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPP17N2 5S300AKSA1 SP001025116的零件别名，该产品提供安装类型功能，如通孔、封装盒设计用于PG-TO220-3以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1个N沟道，该器件为1个N-沟道晶体管类型，该器件具有107 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为1.2 ns，上升时间为3.7 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为17 a，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7.5ns，典型接通延迟时间为4.4ns，Qg栅极电荷为5nC，沟道模式为增强。
IPP16CN10NGXKSA1是MOSFET N-Ch 100V 53A TO220-3，包括100 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.211644盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、商品名设计用于OptiMOS以及Si技术，该器件也可以用作16毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，零件别名为G IPP16CN10N IPP16CN00NGXK SP000680880，该器件采用管式封装，该器件具有TO-220-3封装盒，通道数为1通道，Id连续漏电流为53 a。
IPP16CNE8NG，带有INF公司制造的电路图。IPP16CNN8NG采用TO-220-3封装，是IC芯片的一部分。
