IRFW530ATM

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc）最大功耗: 3.8W (Ta), 55W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压标 (Vdss) 100伏
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
包装/外壳到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
供应商设备包装 D2PAK
漏源电流 (Id) @ 温度 14A（Tc）
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 36 nC @ 10 V
制造厂商
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 790 pF @ 25 V
导通电阻 Rds(ON) 110欧姆@7A，10V
最大功耗 3.8W (Ta), 55W (Tc)

IRFW530ATM 产品详情

IRFW530ATM 相关器件

型号	制造商	描述	价格
IRFV064	英飞凌 (Infineon)	IRFV064	¥1,575.83775
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IRF3710PBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc）供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥14.19608
IRFB4228PBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 150伏漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥30.63747
IRFZ34NPBF	英飞凌 (Infineon)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc）最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥7.89476

IRFW530ATM所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFW530ATM 由设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFW530ATM价格参考￥2.028012，你可以下载 IRFW530ATM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFW530ATM规格参数、现货库存、封装信息等信息！