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HUF75332P3是MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB，包括UltraFET系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于HUF75332P3_NL，提供单位重量功能，如0.063493盎司，安装样式设计用于通孔，以及TO-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为145 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为90 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-电源电阻为19mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为9ns，沟道模式为增强。
HUF75331P3，带有FAI制造的用户指南。HUF75331P3采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
HUF75332P，带有FAIRCHILD制造的电路图。HUF75332P采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB。
HUF75332S是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK。HUF75332S采用TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK。
