9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FQB34N20TM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQB34N20TM参考价格$2.51000。其他FQB34N20TM封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载FQB34N20TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如FQB34N20TM价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FQB34N20LTM是MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK，包括QFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.13W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为3900pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为31A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为75mOhm@15.5A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为72nC@5V，Pd功耗为3.13W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为370 ns，上升时间为520ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为31A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为75mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为170ns，典型导通延迟时间为45ns，正向跨导最小值为41S，信道模式是增强。
FQB33N25，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FQB33N25采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
FQB34N20，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQB34N20在SOT263封装中提供，是FET的一部分-单个。
