2N6660是一种增强型（常关）晶体管，它利用垂直DMOS结构和经过充分验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点，该器件没有热失控和热诱导的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于广泛的开关和放大应用，其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
特色
- 无二次击穿
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低CISS和快速切换速度
- 优异的热稳定性
- 集成源漏二极管
- 高输入阻抗和高增益
2N6660
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.1A（Tc） 最大功耗: 6.25W (Tc) 供应商设备包装: TO-39 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 固态公司 (Solid State )
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 10
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 10+ | 54.32175 | 543.21750 |
- 库存: 820
- 单价: ¥54.32175
-
数量:
- +
- 总计: ¥543.22
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 安装类别 通孔
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 3欧姆 @ 1A, 10V
- 最大功耗 6.25W (Tc)
- 供应商设备包装 TO-39
- 包装/外壳 TO-205AD、TO-39-3金属罐
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±40V
- 制造厂商 固态公司 (Solid State )
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.1A（Tc）
2N6660 产品详情
2N6660 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2N6058 | 中央半导体 (Central) | 2N6058 | ¥44.32655 |
| 2N6403TG | 安盛美 (onsemi) | 2N6403TG | ¥7.31533 |
 | 2N6397TG | 安盛美 (onsemi) | SILICON CONTROLLED RECTIFIER | ¥3.47659 |
 | 2N6073BG | 安盛美 (onsemi) | SENSITIVE GATE TRIACS | ¥2.10044 |
 | 2N6075AG | 安盛美 (onsemi) | SENSITIVE GATE TRIACS | ¥2.10044 |
 | 2N6292G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 70 V 最大功率: 40瓦 特征频率: 4MHz 供应商设备包装: TO-220 | ¥9.34334 |
 | 2N6488G | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 15A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 1.8瓦 特征频率: 5MHz 供应商设备包装: TO-220 | ¥9.34334 |
 | 2N60G | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.74821 |
 | 2N65L | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.86971 |
| 2N60L | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.84727 |
2N6660所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2N6660 由 固态公司 (Solid State ) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N6660价格参考￥54.321750，你可以下载 2N6660中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N6660规格参数、现货库存、封装信息等信息！
固态公司 (Solid State )
Solid State Inc.提供全面的高品质组件产品线，包括晶体管、二极管、整流器、肖特基整流器、SCR、DIAC、TRIAC和齐纳管。有各种各样的传统引线插入安装和表面安装封装可供选择。固态品牌的...
