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IRFU430APBF是MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK，包括管封装，设计用于0.011640 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供IPAK-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供110 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds漏极源极导通电阻为1.7欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为8.7ns，沟道模式为增强。
IRFU420PBF是MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为33 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为8.6 ns，器件的漏极-源极电阻为3欧姆，Pd功耗为2.5 W，封装为管，封装外壳为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2.4A，下降时间为16ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFU430A是由IR制造的MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK。IRFU430A可提供TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 5A I-PAG。
IRFU430B带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。IRFU430B采用TO-251封装，是IC芯片的一部分。
