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FQA90N08是MOSFET N-CH 80V 90A TO-3P，包括管封装，它们设计用于与FQA90N8_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-3P-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有214 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为160 ns，上升时间为360 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为90 a，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Rds导通漏极-漏极电阻为16m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为52S，沟道模式为增强型。
FQA8N90C_F109带用户指南，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如40 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为110 ns，器件的漏极电阻为1.9欧姆，Pd功耗为240 W，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为8 A，下降时间为70 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQA8N90C是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P。FQA8N90C以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P、N沟道900V 8A（Tc）240W（Tc）通孔TO-3P和Trans MOSFET N-CH900V 8A 3-Pin（3+Tab）TO-3P。
