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MRF7P20040HSR3是MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4，包括MRF7P2004H系列，它们设计用于RF功率MOSFET型，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供0.228180盎司等单位重量功能，安装方式设计用于SMD/SMT，以及NI-780S-4封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，增益为18.2 dB，该器件的输出功率为10 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，工作频率为1.8 GHz至2.2 GHz，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为150 mA，Vds漏极-源极击穿电压为65 V，并且Vgs栅极-源极阈值电压为2.7V，并且晶体管极性为N沟道。
MRF7S15100HSR3是RF MOSFET晶体管HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S，包括-6 V 10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在65 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.168010盎司，提供RF功率MOSFET、晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及Si技术，该设备也可以用作MRF7S15100H系列。此外，包装为卷筒式，该设备采用NI-780S包装盒，该设备具有安装式SMD/SMT，最低工作温度范围为-65℃，最高工作温度范围+150℃。
MRF7S15100HR3，带有FREESCALE制造的电路图。MRF7S15100HR3采用SMD封装，是IC芯片的一部分，RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 1.51GHz 19.5dB 23W NI-780，Trans RF Mosfet N-CH 65V 3-Pin NI-780 T/R。
MRF7S16150HSR，带有FREESCALE制造的EDA/CAD模型。是RF FET的一部分。
