这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，设计用于开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的高功率双极开关晶体管的驱动器等应用。
它们可以直接从集成电路操作。以前是发育型TA17451。
IRFD1Z3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Tc) 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: 4-DIP, Hexdip 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌:
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渠道:
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 628+ | 3.47659 | 2183.29977 |
- 库存: 12838
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大功耗 1W（Tc）
- 包装/外壳 4-DIP（0.300“，7.62毫米）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 25 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3 nC@10 V
- 制造厂商
- 漏源电流 (Id) @ 温度 400毫安 (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 3.2欧姆@250毫安，10V
- 供应商设备包装 4-DIP, Hexdip
IRFD1Z3 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRFD1Z3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFD1Z3 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFD1Z3价格参考￥3.476592，你可以下载 IRFD1Z3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFD1Z3规格参数、现货库存、封装信息等信息！