9icnet为您提供由其他公司设计和生产的SI4463DY，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4463DY参考价格0.71000美元。其他SI4463DY封装/规格：P沟道MOSFET。您可以下载SI4463DY英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4463-C2A-GM是IC RF TXRX+MCU ISM，包括SI4463-C2A系列，它们设计用于TXRX+MCU类型，包装如数据表注释所示，用于托盘替代包装，提供单位重量功能，如0.000582盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及20-VFQFN暴露焊盘包装盒，该器件也可用于142MHz～1.05GHz频率。此外，该技术为GaAs，其工作温度范围为-40°C~85°C，该器件的频率范围为142MHz至1050MHz，灵敏度为-129dBm，电源电压为1.8V~3.6V，数据速率最大值为1Mbps，串行接口为SPI，功率输出为20dBm（最大值），输出功率为20dBm，电流接收为10.9mA~13.7mA，RF系列标准为通用ISM，调制为4GFSK、GFSK、GMSK、OOK，GPIO为4，电流传输为44.5mA～88mA，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，工作电源电压为3.3 V，接口类型为SPI，最大数据速率为1 Mb/s，电源电流发射为70mA 85mA，电源电流接收为10mA 13mA，电源电压最大值为3.6V，电源电压最小值为1.8V，调制格式为FSK GFSK GMSK MSK OOK。
SI4463CDY-T1-GE3是MOSFET 20V 18.6A PCH，包括-0.6 V至-1.4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在12 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-20 V，具有0.017870 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件以TrenchFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为SI4463CDY，上升时间为10 ns，漏极-源极电阻Rds为8 mOhms，Qg栅极电荷为54 nC，Pd功耗为5 W，封装为卷轴，封装盒为SO-8，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为18.6 A，正向跨导最小值为60 S，下降时间为11 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4463-C2A-GMR是IC RF TXRX+MCU ISM，包括10.9mA ~ 13.7mA电流接收，它们设计用于44.5mA ~ 88mA电流传输，数据表备注中显示了1Mbps的最大数据速率，提供142MHz ~ 1.05GHz等频率特性，GPIO设计用于4，以及4GFSK、GFSK、GMSK、OOK调制，其工作温度范围为-40°C~85°C。此外，封装外壳为20-VFQFN裸露衬垫，设备采用磁带和卷轴（TR）交替封装，设备的功率输出为20dBm（最大值），RF系列标准为通用ISM，灵敏度为-129dBm，串行接口为SPI，系列为Si4463-C2A，类型为TxRx+MCU，电压供应为1.8 V~3.6 V。
