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IPW60R125C6是MOSFET N-CH 600V 30A TO247，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPW60R125C6FKSA1 IPW60R225C6XK SP000641912的零件别名，该产品提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为219 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为125mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为83ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为96nC，沟道模式为增强型。
IPW60R125CP是MOSFET N-CH 600V 25A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有串联的CoolMOS CP，上升时间为5 ns，漏极-源极电阻Rds为125 mOhms，Qg栅极电荷为53 nC，Pd功耗为208 W，部件别名为IPW60R125CPFKSA1 IPW60R225CPXK SP000088489，包装为管，包装盒为TO-247-3，通道数量为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为25 A，下降时间为5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPW60R125C6FKSA1是MOSFET N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作。数据表中显示了用于管的封装，该管提供部件别名功能，如IPW60R125C6 IPW60R225C6XK SP000641912，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
IPW60R099P6XKSA1，带EDA/CAD型号，包括管包装，设计用于to-247-3包装箱，技术如数据表说明所示，用于Si，提供零件别名功能，如IPW60RO 99P6 SP001114658。
