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IXTA2R4N120P
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IXTA2R4N120P

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 49.61386 49.61386
10+ 44.81182 448.11822
100+ 37.09885 3709.88580
500+ 32.30536 16152.68100
1000+ 28.42114 28421.14000
  • 库存: 255
  • 单价: ¥49.61387
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥49.61
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 最大功耗 125W（Tc）
  • 供应商设备包装 TO-263AA
  • 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 37 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.4A（Tc）
  • 导通电阻 Rds(ON) 7.5欧姆 @ 500毫安, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1207 pF@25 V

IXTA2R4N120P 产品详情

IXTA2R4N120P标准功率MOSFET经过定制，为设计人员提供了一种在性能和成本之间提供最佳折衷的器件解决方案。这些设备结合了Polar技术平台，以实现低通态电阻RDS（on）。极性标准MOSFET具有低栅极电荷Qg值，从而在所有频率下实现更有效的切换。这为设计者提供了在更高频率下操作的选项，这使得能够在各种负载切换设计中使用更小的无源元件。这些设备的雪崩能力增加了对过电压瞬变的额外保护。

特色

  • 国际标准包装
  • 动态dv/dt额定值
  • 低RDS（ON）和Qg
  • 雪崩额定值
  • 低封装电感

应用

  • DC-DC转换器
  • 蓄电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 灯镇流器
  • 交流和直流电机驱动
  • 机器人和伺服控制
  • 激光驱动器

优势：

  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

IXTA2R4N120P 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
IXTL2X180N10TIXTL2X180N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥134.30365
IXTL2X200N085TIXTL2X200N085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥666.28886
IXTL2X220N075TIXTL2X220N075T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥5.4032
IXTL2X240N055TIXTL2X240N055T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥2.79576
IXTA3N100D2IXTA3N100D2艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥42.00882
IXTA26P20PIXTA26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥48.81715
IXTP96P085TIXTP96P085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥49.97601
IXTP26P20PIXTP26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥50.12087
IXTH76P10TIXTH76P10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥57.50863
IXTH200N10TIXTH200N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥66.77954
IXTA2R4N120P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTA2R4N120P 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTA2R4N120P价格参考￥49.613865，你可以下载 IXTA2R4N120P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTA2R4N120P规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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