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STFW40N60M2

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 48.53946 48.53946
10+ 43.86637 438.66370
100+ 36.31634 3631.63480
500+ 32.45850 16229.25450
  • 库存: 131
  • 单价: ¥49.11818
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥48.54
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大功耗 63W (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-3PF
  • 包装/外壳 TO-3P-3全套
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 34A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 88毫欧姆 @ 17A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 57 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2500 pF @ 100 V

STFW40N60M2 产品详情

这些器件是使用新一代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET:MDmesh II Plus低Qg。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的带状布局相关联,从而产生世界上最低的导通电阻和栅极电荷。因此,它们适用于要求最高的高效率转换器。

特色

  • 极低门电荷
  • 较低RDS(on)xareavspreviousgeneration
  • 低栅极输入电阻
  • 100%雪崩测试
  • 齐纳保护
STFW40N60M2所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STFW40N60M2 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STFW40N60M2价格参考¥49.118181,你可以下载 STFW40N60M2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STFW40N60M2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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