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STP33N60DM2

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 190W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 39.40154 39.40154
10+ 35.36757 353.67576
100+ 28.97528 2897.52890
500+ 24.66623 12333.11650
1000+ 23.63962 23639.62700
  • 库存: 143
  • 单价: ¥27.85530
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥39.40
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 24A(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 43 nC @ 10 V
  • 最大功耗 190W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 130毫欧姆@12A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1870 pF@100 V

STP33N60DM2 产品详情

STMicroelectronics的VND7050AJ12TR和VND7140AJ12TR是双通道高端驱动器,采用最新的VIPower™ M0-7技术,最低供电电压为2.85 V,在发动机启动期间,当车辆蓄电池电压下降时,仪表板仪表等重要设备保持工作。这两种设备符合德国汽车工业LV124测试计划中严格的冷启动规范,因此非常适合采用停止启动技术的车辆。这两个设备分别具有40 mΩ和140 mΩ的开关,提供诊断功能和全套保护功能。

特色

  • 快速恢复体二极管
  • 极低栅极电荷和输入电容
  • 低通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 极高的dv/d耐用性
  • 齐纳保护
STP33N60DM2所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STP33N60DM2 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STP33N60DM2价格参考¥27.855304,你可以下载 STP33N60DM2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STP33N60DM2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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