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STP14NM50N

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.17940 6.17940
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    - +
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 500 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A(Tc)
  • 最大功耗 90W (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 27 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 320毫欧姆 @ 6A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 100A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 816 pF @ 50 V

STP14NM50N 产品详情

这些器件是使用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的带状布局相结合,从而产生了世界上电阻和栅极电荷最低的器件之一。因此,它适用于要求最高的高效率转换器。

特色

  • 100%雪崩测试
  • 低输入电容和栅极电荷
  • 低栅极输入电阻
STP14NM50N所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STP14NM50N 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STP14NM50N价格参考¥6.179403,你可以下载 STP14NM50N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STP14NM50N规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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