特色
- 48A、60V。RDS（开）=0.025Ω@VGS=10V。
- 高温下规定的临界直流电参数。
- 坚固的内部源极-漏极二极管可以消除对外部齐纳二极管瞬态抑制器的需要。
- 175°C最大结温额定值。
- 用于极低RDS（ON）的高密度电池设计。
- TO-220和TO-263（D2PAK）封装适用于通孔和表面安装应用。
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
NDP6060
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 100W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 21.72870 | 21.72870 |
| 10+ | 19.49064 | 194.90644 |
| 100+ | 15.96914 | 1596.91460 |
| 500+ | 13.59448 | 6797.24450 |
| 1000+ | 13.02867 | 13028.67300 |
- 库存: 1512
- 单价: ¥21.72870
-
数量:
- +
- 总计: ¥21.73
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1800 pF @ 25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 48A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 25毫欧姆@24A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 70 nC @ 10 V
- 最大功耗 100W（Tc）
- 工作温度 -65摄氏度~175摄氏度（TJ）
NDP6060 产品详情
这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些设备特别适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路，其中需要快速切换、低在线功率损耗和抗瞬变。
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NDP6060所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NDP6060 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NDP6060价格参考￥21.728700，你可以下载 NDP6060中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NDP6060规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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